티씨케이가 독점하고 있던 SiC(실리콘카바이드)링 시장에 균열이 생길 전망이다. 티씨케이는 디에스테크노를 상대로 제기한 특허소송에서 일부 승소, 일부 패소했다. 

양사 특허분쟁의 핵심 쟁점은 크게 두 가지다. SiC링 소재·물성 관련 부문과 티씨케이의 제조 방법 및 장치에 대한 특허가 인정되는지 여부다. 법원과 특허심판원은 제조 방법의 경우 티씨케이 특허가 인정된다고 판결한 반면, 소재·물성 특허는 인정하지 않는다고 했다. 업계는 SiC링 시장에서 소재·물성 관련 특허를 인정하지 않은 만큼, 후발주자들이 잇따라 사업에 적극적으로 뛰어들 것으로 내다본다. 

17일 업계에 따르면 지난 13일 특허법원은 티씨케이와 디에스테크노 간 특허소송에서 SiC 링 소재·물성에 관한 부분은 디에스테크노, 제조 방법에 관한 특허는 티씨케이 손을 들어줬다. 이보다 앞선 12일 특허심판원도 SiC 링 제조방법 관련해 티씨케이 특허를 인정했다. 

양사 분쟁은 티씨케이가 지난 2019년 11월 디에스테크노를 상대로 SiC링 관련 특허침해 소송을 제기하면서 시작됐다. 

SiC링은 반도체 제조공정에서 웨이퍼를 고정시켜 주는 역할을 담당하는 소모성 부품이다. 기존에 사용되던 쿼츠나 실리콘 소재보다 내성이 강하다. 때문에 식각챔버 내에 SiC링 등이 주로 탑재되고 있다. 특히 3D 낸드플래시 생산을 위한 필수 부품으로 알려졌다. 

티씨케이는 SiC링 시장에서 80% 이상의 점유율을 차지해왔다. 기존 보유하고 있던 특허를 기반으로 사실상 시장을 독점했다. 

하지만 일부 업체들이 SiC링 시장에 진입하면서 2019년부터 티씨케이는 특허소송을 제기했다. 티씨케이가 소송을 건 특허는 지금까지 총 3건이다. 

특허 제1866869호는 SiC링 소재의 물성과 관련된 특허다. 즉, 제품을 만들 때 SiC란 소재를 활용할 수 있는지 여부다. 특허 제1914289호는 투과도가 다른 복수의 층을 갖는 SiC 반도체 제조 부품 및 제조 방법에 관한 특허다. 특허 제2208252호 역시 제조 방법과 관련된 특허다. 

결국 특허분쟁은 크게 2가지 쟁점, ‘물질 발명(제1항)’과 ‘제법(제조방법) 발명(제9항)’으로 구분할 수 있다. 법원과 특허심판원은 티씨케이가 주장한 제조 방법은 인정했지만 소재·물성 특허는 인정하지 않는다고 판결했다.

이번 판결에 대해 입장은 극명하게 엇갈린다. 티씨케이 측은 ‘완전 승리’라고 주장하며 관련 보도자료를 배포했다. 티씨케이는 “특허 무효소송 및 심판에서 모두 승리”라고 했다. 다만 해당 보도자료에는 티씨케이가 패소한 소재·물성 특허에 대한 판결 부분은 언급되어 있지 않다. 

반면 디에스테크노는 소재·물성 특허가 인정되지 않았기 때문에 시장 진입 장벽이 크게 낮아졌다고 강조한다. 디에스테크노 관계자는 “앞으로 물성·소재 관련해서는 티씨케이가 더 이상 소를 제기할 수 없다”며 “제조방법이나 장치 등은 다양한 솔루션이 있으며 우리는 티씨케이 제조방법과 다르기 때문에 충분히 (티씨케이)특허를 피할 수 있다”고 말했다. 

업계는 앞으로도 관련 특허분쟁이 계속 일어날 가능성이 높다고 내다본다. 

우선 티씨케이 측은 제조방법 특허를 인정받았기 때문에 지속해서 경쟁 업체가 특허를 침해했는지 살펴보겠다는 계획이다. 

다만 여러 정황을 종합해 보면 사실상 국내 SiC링 시장에서 티씨케이 독점 구조는 무너질 가능성이 높다는 것이 일반적인 관측이다. 법원이 소재·물성 특허를 인정하지 않은 만큼 디에스테크노나 케이앤제이, 하나머티리얼즈 등 후발업체들은 SiC링 사업에 적극적으로 진출할 것으로 예상된다. 

박광재 티씨케이 경영전략본부 전무는 “제조 방법 특허가 인정된 만큼 부정한 방법으로 해당 제품을 제조, 판매하는 기업에 대해서는 강력한 법적조치를 진행할 예정”이라며 “제품을 생산하더라도 다른 제조 방법으로 했다는 것을 입증해야 하는데 쉽지 않을 것”이라고 말했다. 

 디일렉=강승태·장경윤 기자 kangst@thelec.kr

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